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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 180 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2163 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK2164 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263 |
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| 2SK2165-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2166-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
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| 2SK2166-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2167 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2168 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2169 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2169AZ | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK216-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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