5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 180 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2162(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
|
| 2SK2162_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2162TE16R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SK2163 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK2164 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263 |
|
| 2SK2165-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2166-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
|
| 2SK2166-01R | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2167 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2168 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
