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2SK2161

更新时间: 2024-11-29 22:52:51
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三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Very High-Speed Switching Applications

2SK2161 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220ML
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.28外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.35 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2161 数据手册

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