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2SK2158-A

更新时间： 2024-02-26 20:31:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 输入元件开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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2SK2158-A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
其他特性：GATE PROTECTED, HIGH INPUT IMPEDANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：20 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2158-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2158  
N-CHANNEL MOS FET  
FOR HIGH-SPEED SWITCHING  
The 2SK2158 is an N-channel vertical type MOS FET featur-  
PACKAGE DIMENSIONS  
ing an operating voltage as low as 1.5 V. Because it can be  
driven on a low voltage and it is not necessary to consider  
driving current, the 2SK2158 is suitable for use in low-voltage  
portablesystemssuchasheadphonestereosetsandcamcorders.  
(in millimeters)  
2.8 ± 0.2  
+0.1  
0.65  
–0.15  
1.5  
FEATURES  
2
•
•
Capable of drive gate with 1.5 V  
3
1
Because of high input impedance, there is no need to  
consider driving current.  
•
Bias resistance can be omitted, enabling reduction in total  
number of parts.  
Marking  
Marking: G23  
EQUIVALENT CIRCUIT  
3
Internal  
diode  
PIN CONNECTION  
1. Source (S)  
2. Gate (G)  
2
Gate protection  
diode  
3. Drain (D)  
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
PARAMETER  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
SYMBOL  
VDSS  
TEST CONDITIONS  
RATINGS  
UNIT  
VGS = 0  
VDS = 0  
50  
V
V
A
A
VGSS  
±7.0  
±0.1  
±0.2  
ID(DC)  
Drain Current (pulse)  
ID(pulse)  
PW ≤ 10 ms,  
Duty Cycle ≤ 50 %  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
Tch  
Tstg  
200  
150  
mW  
˚C  
–55 to +150  
˚C  
Document No. D11234EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
123456

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与2SK2158-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2158A-T1B RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346
2SK2158A-T1B-AT RENESAS

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2158A-T2B RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346
2SK2158A-T2B-AT RENESAS

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2159 TYSEMI

获取价格

 		Capable of drive gate with 1.5 V Small RDS(on) RDS(on) = 0.7 MAX.VGS = 1.5 V, ID = 0.1 A
2SK2159 KEXIN

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 		MOS Field Effect Transistor
2SK2159 NEC

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 		N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2159-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK215-E RENESAS

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 		Silicon N Channel MOS FET
2SK216 HITACHI

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 		Silicon N-Channel MOS FET

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