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2SK2159-AZ

更新时间： 2024-01-01 06:19:12

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK2159-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	其他特性：	GATE PROTECTED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2159-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2159

N-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SK2159 is an N-channel vertical type MOS FET featur-

PACKAGE DIMENSIONS

ing an operating voltage as low as 1.5 V. Because it can be

driven on a low voltage and it is not necessary to consider

driving current, the 2SK2159 is suitable for driving actuators of

low-voltage portable systems such as headphone stereo sets

and camcorders.

(in millimeters)

4.5 ± 0.1

1.6 ± 0.2

1.5 ± 0.1

0.42

FEATURES

0.42 ± 0.06

± 0.06

0.47

1.5

± 0.06

•

Capable of drive gate with 1.5 V

Small R^DS(on)

+0.03

0.41

–0.05

3.0

RDS(on) = 0.7 Ω MAX. @VGS = 1.5 V, ID = 0.1 A

RDS(on) = 0.3 Ω MAX. @VGS = 4.0 V, ID = 1.0 A

EQUIVALENT CIRCUIT

Internal diode

Gate protection

diode

PIN CONNECTION

1. Source (S)

2. Drain (D)

3. Gate (G)

Marking: NW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

TEST CONDITIONS

RATINGS

UNIT

VGS = 0

VDS = 0

VGSS

±14

ID(DC)

±2.0

Drain Current (pulse)

ID(pulse)

PW ≤ 10 ms,

±4.0

Duty Cycle ≤ 50 %

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

Tstg

Mounted on 16 cm × 0.7 mm ceramic substrate.

2.0

150

˚C

–55 to +150

Document No. D11235EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与2SK2159-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK215-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK216	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK216	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK2160	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK2161	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK2162	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2162(2-7B1B)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Pur
2SK2162(2-7J1B)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Po
2SK2162(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252
2SK2162_06	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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