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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SC-46, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK216 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK216 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK2160 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2161 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2162 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2162(2-7B1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Pur |
|
| 2SK2162(2-7J1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Po |
|
| 2SK2162(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
|
| 2SK2162_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2162TE16R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
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