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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | GATE PROTECTED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2159-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK215-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK216 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK216 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2160 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2161 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2162 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2162(2-7B1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Pur |
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| 2SK2162(2-7J1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Po |
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| 2SK2162(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
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