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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-243 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 3.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2153 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
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| 2SK2154 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2157 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2157C | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2157C-T1-AY | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2157C-T1-AZ | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2158 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2158 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2158 | TYSEMI |
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Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need |
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| 2SK2158-A | RENESAS |
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100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
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