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2SK215

更新时间: 2024-01-03 14:04:51
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK215 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.37
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (Abs) (ID):0.5 A
最大漏极电流 (ID):0.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK215 数据手册

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2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High frequency and low frequency power amplifier, high speed switching.  
Complementary pair with 2SJ76, J77, J78, J79  
Features  
Suitable for direct mounting  
High forward transfer admittance  
Excellent frequency response  
Enhancement-mode  
Outline  
TO-220AB  
1
D
2
3
1. Gate  
G
2. Source  
(Flange)  
3. Drain  
S

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