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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1358 | TOSHIBA |
类似代替  |
FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive |
|
| FDA28N50F | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175Ω |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2151 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2152 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2153 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
|
| 2SK2154 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2157 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SK2157C | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2157C-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2157C-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2158 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SK2158 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
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