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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK214-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK214K | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
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| 2SK215 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK215 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2150 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL MOS TYPE |
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| 2SK2151 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2152 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2153 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
|
| 2SK2154 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2157 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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