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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.43 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK214 | RENESAS |
完全替代  |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| PHD9NQ20T,118 | NXP |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK214K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK215 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK215 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2150 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL MOS TYPE |
|
| 2SK2151 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2152 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2153 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
|
| 2SK2154 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2157 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SK2157C | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
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