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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK117-Y
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2SK117-Y

更新时间： 2024-11-23 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体音频放大器小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 580K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK117-Y 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：2-5F1D, SC-43, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTIONJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK117-Y 数据手册

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2SK117  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK117  
Low Noise Audio Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
High |Y |: |Y | = 15 mS (typ.) (V  
= 10 V, V  
= 0)  
fs  
fs  
DS  
GS  
High breakdown voltage: V  
= −50 V  
GDS  
Low noise: NF = 1.0dB (typ.)  
(V  
DS  
= 10 V, I = 0.5 mA, f = 1 kHz, R = 1 kΩ)  
D
G
•
High input impedance: I  
= −1 nA (max) (V  
= −30 V)  
GSS  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate-drain voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−50  
10  
V
GDS  
Gate current  
I
mA  
mW  
°C  
G
Drain power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
300  
D
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
SC-43  
TOSHIBA  
2-5F1D  
Weight: 0.21 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= −30 V, V  
= 0  
⎯
⎯
⎯
−1.0  
nA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
Gate-drain breakdown voltage  
V
= 0, I = −100 μA  
−50  
⎯
(BR) GDS  
G
I
DSS  
(Note)  
Drain current  
V
= 10 V, V  
= 0  
1.2  
⎯
14  
mA  
DS  
GS  
Gate-source cut-off voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
V
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 0.1 μA  
−0.2  
4.0  
⎯
⎯
15  
13  
3
−1.5  
⎯
V
GS (OFF)  
⎪Y ⎪  
DS  
DS  
DS  
GD  
DS  
D
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 0, f = 1 kHz  
= 0, f = 1 MHz  
mS  
pF  
pF  
fs  
GS  
GS  
C
⎯
iss  
rss  
Reverse transfer capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
D
= 10 V, R = 1 kΩ  
G
NF (1)  
NF (2)  
⎯
⎯
5
1
10  
2
I
= 0.5 mA, f = 10 Hz  
D
Noise figure  
dB  
V
= 10 V, R = 1 kΩ  
G
DS  
I
= 0.5 mA, f = 1 kHz  
D
Note: I  
classification Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA, BL: 6~14 mA  
DSS  
1
2007-11-01  
1234

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与2SK117-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK118 TOSHIBA

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 		N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE
2SK118_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel Junction Type General Purpose and Impedance Converter and Condenser Micr
2SK1180 SANKEN

获取价格

 		MOSFET
2SK1181 SANKEN

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 		MOSFET
2SK1183 SANKEN

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