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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1181
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2SK1181

更新时间： 2024-11-22 22:45:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1181 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：UL APPROVED雪崩能效等级（Eas）：660 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK1181 数据手册

  
2SK1181  
External dimensions  
2 ...... FM100  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
500  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
500  
±20  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±500  
250  
4.0  
±13  
A
IDSS  
VDS = 500V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 6.5A  
VGS = 10V, ID = 6.5A  
ID (pulse)  
PD  
±52 (Tch 150ºC)  
85 (Tc = 25ºC)  
660  
A
VTH  
2.0  
8.5  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
13  
0.35  
2700  
350  
65  
S
EAS  
0.4  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
VDS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
I
V
D = 6.5A, VDD = 250V,  
GS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: V = 50V, L = 7mH, I = 13A, unclamped,  
DD  
L
*
See Figure 1 on Page 5.  
toff  
180  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
0.5  
0.4  
0.3  
14  
12  
10  
8
12  
10  
8
=
VGS 10V  
=
VDS 10V  
10V  
5V  
6
6
0.2  
0.1  
4
4
=
–
TC  
55ºC  
4.5V  
2
0
2
25ºC  
125ºC  
=
VGS 4V  
0
0
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
10  
12  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
20  
10  
10  
8
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
=
VDS 10V  
=
ID 6.5A  
=
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
VGS 10V  
125ºC  
5
6
=
ID 13A  
4
2
0
1
=
ID 8.5A  
0.2  
0
0.5  
0.3  
150  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10 20  
2
5
10  
20  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
10000  
5000  
14  
100  
50  
90  
=
IDD (pulse) max  
VGS 0V  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
=
f
1MHz  
12  
10  
Ciss  
ID max  
10  
5
1000  
500  
8
6
4
2
0
=
VGS 0V  
Coss  
1
5V,10V  
0.5  
100  
50  
Crss  
40  
Without heatsink  
0.1  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
1
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500 1000  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
VDS (V)  
VSD (V)  
12  
1

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