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2SK1199

更新时间: 2024-02-12 19:18:33
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
4页 249K
描述
SILICON N CHANNEL MOS FET

2SK1199 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SK1199 数据手册

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