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2SK121

更新时间： 2024-01-18 19:12:51

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		/
页数	文件大小	规格书
5页	115K
描述
Silicon N-Channel Junction FET

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2SK121 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	100 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SK121 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1211	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-247	获取价格
2SK1211-01	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-247	获取价格
2SK1212-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET	获取价格
2SK1212-01R	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1214	PANASONIC	Silicon N-channel Power F-MOS FET	获取价格
2SK1215	HITACHI	Silicon N-Channel MOS FET	获取价格

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