5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1211 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK1211-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK1212-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK1212-01R | FUJI |
获取价格 |
N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1214 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK1215 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1215 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1215D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-323 |
|
| 2SK1215-D | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| 2SK1215-D | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
