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2SK1215

更新时间: 2024-11-26 06:18:55
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瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 140K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK1215 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:CMPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.15Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):24 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1215 数据手册

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2SK1215  
Silicon N-Channel MOS FET  
REJ03G0813-0200  
(Previous ADE-208-1176)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
VHF amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PTSP0003ZA-A  
R
(Package name: CMPAK  
)
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
2
*CMPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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