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2SK1215D PDF预览

2SK1215D

更新时间： 2024-02-28 09:02:34

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	24K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 30MA I(D) \| SOT-323

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2SK1215D 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.17
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	24 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1215D 数据手册

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2SK1215

Silicon N-Channel MOS FET

Application

VHF amplifier

Outline

CMPAK

3

1

1. Gate

2. Drain

3. Source

2

12 3 4

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与2SK1215D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1215-D	RENESAS	VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET	获取价格
2SK1215-D	HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C	获取价格
2SK1215E	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 30MA I(D) \| SOT-323	获取价格
2SK1215-E	HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C	获取价格
2SK1215F	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 30MA I(D) \| SOT-323	获取价格
2SK1215-F	HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C	获取价格

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