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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1203 | ETC |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK1204 | HITACHI-METALS |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK1205 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK1206 | ETC |
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| 2SK121 | SONY |
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Silicon N-Channel Junction FET |
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| 2SK1211 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1211-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1212-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1212-01R | FUJI |
获取价格 |
N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1214 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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