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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1B, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.28 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.003 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK118-R | TOSHIBA | 暂无描述 |
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| 2SK118Y | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK118-Y | TOSHIBA | TRANSISTOR 3 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1B, 3 PIN, FET General Purpo |
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| 2SK1190 | SANKEN | MOSFET |
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| 2SK1191 | SANKEN | MOSFET |
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| 2SK1192 | SANKEN | MOSFET |
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