2SK1190

更新时间： 2024-11-25 22:45:07

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MOSFET

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2SK1190 数据手册

2SK1190

External dimensions

1 ...... FM20

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

max

V_DSS

V_GSS

I_D

±20

V_{(BR) DSS}

I_GSS

µA

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

±500

250

4.0

±22

I_DSS

V_DS= 60V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 12A

V_GS= 10V, I_D= 12A

I_{D (pulse)}

P_D

±88 (Tch 150ºC)

35 (Tc = 25ºC)

V_TH

2.0

7.3

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

0.04

1300

650

130

E_AS

0.05

Ω

Tch

150

_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

_D= 12A, V_DD= 30V,

_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

: V_DD= 25V, L = 50µH, I_L= 20A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

t_off

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

V_DS10V

V_GS10V

5.5V

10V

25ºC

125ºC

V_GS4.5V

–

T_C

55ºC

150

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

V_DS10V

I_D12A

–

T_C

55ºC

25ºC

V_GS10V

125ºC

I_D22A

0.5

0.3

0.05 0.1

I_D12A

0.5

V_GS(V)

–50

100

I_D(A)

Tc (ºC)

V_DS— Capacitance Characteristics

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

5000

100

I_D(pulse) max

V_GS0V

1MHz

I_Dmax

Ciss

1000

500

Coss

Crss

10V

V_GS0V

100

Without heatsink

0.5

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_SD(V)

100

Ta (ºC)

50 100

V_DS(V)

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