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2SK1195

更新时间： 2024-11-25 22:45:07

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新电元 - SHINDENGEN		/
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10页	386K
描述
VR Series Power MOSFET(230V 1.5A)

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2SK1195 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.9	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	230 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	100 ns	最大开启时间（吨）：	75 ns

2SK1195 数据手册

SHINDENGEN

VR Series Power MOSFET

N-Channel Enhancement type

OUTLINE DIMENSIONS

2SK1195

Case : E-pack

(Unit : mm)

( F1E23 )

230V 1.5A

FEATURES

●Applicable to 4V drive.

●The static Rds(on) is small.

●Built-in ZD for Gate Protection.

APPLICATION

●DC/DC converters

●Power supplies of DC 12-24V input

●Product related to

Integrated Service Digital Network

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings （Tc=25℃）

Item

Symbol

Conditions

Ratings Unit

-55～150 ℃

150

stg

StorageTemperature

ChannelTemperature

DSS

GSS

Drain-SourceVoltage

230

±20

1.5

Gate-SourceVoltage

ContinuousDrainCurrent（DC）

ContinuousDrainCurrent（Peak)

ContinuousSourceCurrent（DC）

TotalPowerDissipation

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1197	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-126VAR
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2SK12	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 5MA I(DSS) \| TO-17
2SK1200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-247VAR
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