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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1192
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2SK1192

更新时间： 2024-11-25 22:45:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1192 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：UL APPROVED雪崩能效等级（Eas）：38 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK1192 数据手册

  
2SK1192  
External dimensions  
2 ...... FM100  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
60  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
60  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±20  
±40  
±500  
250  
4.0  
A
IDSS  
VDS = 60V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 20A  
VGS = 10V, ID = 20A  
ID (pulse)  
PD  
±160 (Tch 150ºC)  
90 (Tc = 25ºC)  
38  
A
VTH  
2.0  
13  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
20  
0.021  
2500  
1200  
260  
S
EAS  
0.028  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
VDS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
ID = 20A, VDD = 30V,  
VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 25V, L = 50µH, IL = 30A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
toff  
120  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
40  
30  
40  
40  
35  
30  
25  
20  
10V  
35  
=
VDS 10V  
=
VGS 10V  
30  
25  
6V  
20  
20  
10  
0
15  
15  
10  
5
5.5V  
10  
=
–
TC  
55ºC  
=
VGS 5V  
25ºC  
125ºC  
5
0
0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10  
0
10  
20  
30  
40  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
50  
2
40  
30  
20  
10  
0
=
VDS 10V  
=
ID 20A  
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
=
VGS 10V  
125ºC  
10  
5
1
0
=
ID 40A  
1
=
ID 20A  
0.5  
0.3  
150  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
50  
5
10  
20  
–50  
0
50  
Tc (ºC)  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
10000  
5000  
40  
35  
30  
25  
20  
200  
100  
50  
90  
=
VGS 0V  
ID (pulse) max  
80  
70  
60  
50  
40  
=
f
1MHz  
ID max  
Ciss  
10V  
Coss  
1000  
500  
10  
5
15  
10  
5
30  
20  
5V  
Crss  
40  
=
VGS 0V  
10  
0
Without heatsink  
1
0
100  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
VSD (V)  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
0.5  
1
5
10  
50 100  
VDS (V)  
VDS (V)  
22  
1

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