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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1191

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2SK1191

更新时间： 2024-02-22 18:06:17

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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1页	37K
描述
MOSFET

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技术参数
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2SK1191 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE

2SK1191 数据手册

2SK1191

External dimensions

1 ...... FM20

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

(Ta = 25ºC)

Conditions

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

min

60

max

V

V

60

V

V

V

V

nA

µA

V

I = 250µA, V = 0V

D GS

DSS

GSS

(BR) DSS

±20

±30

I

I

±500

250

4.0

V

V

V

V

V

= ±20V

GSS

DSS

GS

DS

DS

DS

GS

I

A

= 60V, V = 0V

D

GS

I

A

V

TH

2.0

13

= 10V, I = 250µA

±120 (Tch 150ºC)

40 (Tc = 25ºC)

38

D (pulse)

D

P

D

W

mJ

ºC

ºC

Re

20

0.021

2500

1200

180

S

= 10V, I = 15A

D

(yfs)

E

AS

R

0.028

Ω

= 10V, I = 15A

DS (on)

D

*

Tch

150

Ciss

pF

pF

ns

ns

V

V

= 25V, f = 1.0MHz,

= 0V

DS

GS

Tstg

–55 to +150

Coss

I

= 15A, V = 30V,

DD

: V = 25V, L = 50µH, I = 30A, unclamped,

D

DD

L

t

t

on

off

*

See Figure 1 on Page 5.

V

= 10V,

GS

120

See Figure 2 on Page 5.

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

30

20

30

20

10

0

40

30

=

V_DS10V

10V

=

V_GS10V

5.5V

5V

20

10

0

10

0

=

–

T_C

55ºC

=

V_GS4.5V

25ºC

125ºC

6

0

1

2

3

4

5

0

2

4

8

10

0

10

20

30

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

I

_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

50

2

40

30

20

10

0

=

V_DS10V

=

I_D15A

=

–

T_C

55ºC

25ºC

=

V_GS10V

125ºC

10

5

1

0

=

I_D30A

1

=

I_D15A

0.5

0.3

0.05 0.1

0.5

1

5

10

50

5

10

20

150

–50

0

50

Tc (ºC)

100

I_D(A)

V_GS(V)

V_DS— Capacitance Characteristics

V

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

10000

5000

30

20

200

100

40

I_D(pulse) max

=

V_GS0V

=

f

1MHz

50

30

20

10

0

I_Dmax

Ciss

10V

Coss

1000

500

10

5

5V

10

0

Crss

40

=

V_GS0V

1

Without heatsink

100

0.5

0

10

20

30

50

0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_SD(V)

0

50

100

Ta (ºC)

150

0.5

1

5

10

50 100

V_DS(V)

V_DS(V)

21

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1192	SANKEN	MOSFET	获取价格
2SK1194	SHINDENGEN	VR Series Power MOSFET(230V 0.5A)	获取价格
2SK1195	SHINDENGEN	VR Series Power MOSFET(230V 1.5A)	获取价格
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