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2SK1194

更新时间： 2024-11-22 22:45:07

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新电元 - SHINDENGEN		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
10页	388K
描述
VR Series Power MOSFET(230V 0.5A)

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2SK1194 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.9	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	230 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	6 W	最大功率耗散 (Abs)：	6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1194 数据手册

SHINDENGEN

VR Series Power MOSFET

N-Channel Enhancement type

OUTLINE DIMENSIONS

2SK1194

( F05E23 )

Case : E-pack

(Unit : mm)

230V 0.5A

FEATURES

●Applicable to 4V drive.

●The static Rds(on) is small.

●Built-in ZD for Gate Protection.

APPLICATION

●DC/DC converters

●Power supplies of DC 12-24V input

●Product related to

Integrated Service Digital Network

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings （Tc=25℃）

Item

Symbol

Conditions

Ratings Unit

-55～150 ℃

150

stg

StorageTemperature

ChannelTemperature

DSS

GSS

Drain-SourceVoltage

230

±20

0.5

Gate-SourceVoltage

ContinuousDrainCurrent（DC）

ContinuousDrainCurrent（Peak)

ContinuousSourceCurrent（DC）

TotalPowerDissipation

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1195	SHINDENGEN	获取价格	VR Series Power MOSFET(230V 1.5A)
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