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2SK1185

更新时间： 2024-01-08 05:43:29

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MOSFET

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2SK1185 数据手册

2SK1185

External dimensions

1 ...... FM20

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

100

max

V_DSS

V_GSS

I_D

100

V

V

V_{(BR) DSS}

I_GSS

V

nA

µA

V

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

±20

±5

±500

250

4.0

A

I_DSS

V_DS= 100V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 2.5A

V_GS= 10V, I_D= 2.5A

I_{D (pulse)}

P_D

±20 (Tch 150ºC)

25 (Tc = 25ºC)

16

A

V_TH

2.0

1.5

W

mJ

ºC

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

1.7

0.41

180

82

S

E_AS

0.54

Ω

*

Tch

150

pF

pF

ns

ns

V

_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

I

V

_D= 2.5A, V_DD= 50V,

_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

: V_DD= 25V, L = 1mH, I_L= 5.0A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

40

*

t_off

40

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

5

4

3

=

V_DS10V

=

V_GS10V

10V

4

6.5V

3

6V

2

2

1

0

5.5V

=

–

T_C

55ºC

1

5V

25ºC

125ºC

=

V_GS4.5V

0

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

0

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

I_D(A)

V_DS(V)

V_GS(V)

I

_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

10

5

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

=

V_DS10V

=

I_D2.5A

V_GS10V

6

=

=

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

4

2

0

=

I_D5A

1

=

I_D2.5A

0.2

0

0.5

0.3

150

0.05 0.1

0.5

1

5

10

5

10

20

–50

0

50

100

I_D(A)

V_GS(V)

Tc (ºC)

V_DS— Capacitance Characteristics

V

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

50

25

1000

500

5

4

3

=

V_GS0V

I_D(pulse) max

=

f

1MHz

20

10

0

10

5

Ciss

I_Dmax

100

50

Coss

2

1

1

10V

0.5

Crss

40

=

V_GS0V

10

5

Without heatsink

5V

0.1

0

0

10

20

30

50

0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_SD(V)

0

50

100

Ta (ºC)

150

0.5

1

5

10

50 100

V_DS(V)

V_DS(V)

15

1

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