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2SK118-O

更新时间： 2024-11-26 19:14:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	295K
描述
TRANSISTOR 1.4 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1B, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK118-O 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	2-4E1B, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.27	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.0014 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK118-O 数据手册

2SK118

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type

2SK118

General Purpose and Impedance Converter and

Condenser Microphone Applications

Unit: mm

•

High breakdown voltage: V

= −50 V

GDS

High input impedance: I

= −1 nA (max) (V

= −30 V)

GSS

Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 kΩ, f = 120 Hz)

Small package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Gate-drain voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

GDS

Gate current

°C

Drain power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

100

125

stg

−55~125

°C

JEDEC

JEITA

―

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of

high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

TOSHIBA

2-4E1B

Weight: 0.13 g (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the

Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and

individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Gate cut-off current

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= −30 V, V

= 0

⎯

−1.0

GSS

Gate-drain breakdown voltage

= 0, I = −100 μA

−50

⎯

(BR) GDS

DSS

(Note)

Drain current

= 10 V, V

= 0

0.3

⎯

6.5

Gate-source cut-off voltage

Forward transfer admittance

Input capacitance

= 10 V, I = 0.1 μA

−0.4

1.2

⎯

−5.0

⎯

GS (OFF)

⎪Y ⎪

= 10 V, V

= 0, f = 1 kHz

= 0, f = 1 MHz

8.2

2.6

⎯

iss

rss

Reverse transfer capacitance

= −10 V, I = 0, f = 1 MHz

⎯

= 15 V, V

= 0, R = 100 kΩ,

Noise figure

⎯

0.5

5.0

f = 120 Hz

Note: I

classification R: 0.3~0.75 mA, O: 0.6~1.4 mA, Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA

DSS

2007-11-01

12 3 4

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