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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1184
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2SK1184

更新时间： 2024-11-22 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1184 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：UL APPROVED
雪崩能效等级（Eas）：67 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1184 数据手册

  
2SK1184  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
200  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
200  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±20  
±5  
±500  
250  
4.0  
A
IDSS  
VDS = 200V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 2.5A  
VGS = 10V, ID = 2.5A  
ID (pulse)  
PD  
A
VTH  
2.0  
1.3  
±20 (Tch 150ºC)  
30 (Tc = 25ºC)  
67  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
2.5  
0.5  
260  
100  
50  
S
EAS  
0.8  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
V
DS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
I
V
D = 2.5A, VDD = 100V,  
GS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 50V, L = 4mH, IL = 5.0A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
toff  
60  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
5
5
4
3
1.0  
0.8  
0.6  
10V  
=
VGS 10V  
=
VDS 10V  
4
3
6V  
2
0.4  
0.2  
0
2
1
0
5.5V  
=
–
TC  
55ºC  
1
5V  
25ºC  
125ºC  
=
VGS 4.5V  
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
10  
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
ID (A)  
VDS (V)  
VGS (V)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
5
8
6
2.0  
1.0  
0
=
VDS 10V  
=
ID 2.5A  
VGS 10V  
=
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
125ºC  
4
=
ID 5A  
1
2
0
=
ID 2.5A  
0.5  
0.3  
150  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
5
10  
20  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
1000  
500  
5
4
50  
30  
20  
=
VGS 0V  
ID (pulse) max  
=
f
1MHz  
Ciss  
10  
5
ID max  
3
2
1
0
100  
50  
Coss  
1
0.5  
10  
0
10V  
Crss  
40  
0.1  
10  
5
Without heatsink  
=
VGS 0V  
5V  
0.05  
0.03  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
VSD (V)  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
VDS (V)  
14  
1

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