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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1186
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2SK1186

更新时间： 2024-11-22 22:45:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1186 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：UL APPROVED
雪崩能效等级（Eas）：32 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1186 数据手册

  
2SK1186  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
100  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
100  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±20  
±9  
±500  
250  
4.0  
A
IDSS  
VDS = 100V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 4.5A  
VGS = 10V, ID = 4.5A  
ID (pulse)  
PD  
A
VTH  
2.0  
2.4  
±36 (Tch 150ºC)  
30 (Tc = 25ºC)  
32  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
3.7  
0.24  
350  
130  
60  
S
EAS  
0.27  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
V
DS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
I
V
D = 4.5A, VDD = 50V,  
GS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 25V, L = 600µH, IL = 9.0A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
toff  
40  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
10  
8
0.4  
0.3  
10  
=
=
VGS 10V  
VDS 10V  
10V  
8
6.5V  
6
6
0.2  
0.1  
0
6V  
4
2
0
4
5.5V  
25ºC  
125ºC  
2
5V  
=
–
TC  
55ºC  
10  
=
VGS 4.5V  
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
150  
150  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
5
6
4
2
0
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
=
VDS 10V  
=
ID 4.5A  
VGS 10V  
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
=
125ºC  
=
ID 9A  
1
=
ID 4.5A  
0.5  
0.3  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
5
10  
20  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
1000  
500  
10  
8
50  
30  
20  
=
VGS 0V  
1MHz  
IDD (pulse) max  
ID max  
=
f
Ciss  
10  
5
Coss  
6
100  
50  
4
2
0
1
10  
0
Crss  
10V  
0.5  
=
VGS 0V  
5V  
Without heatsink  
0.1  
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
VSD (V)  
0.5  
1
5
10  
50 100  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
VDS (V)  
VDS (V)  
16  
1

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