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2SK1180

更新时间： 2024-11-22 22:45:07

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MOSFET

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2SK1180 数据手册

2SK1180

External dimensions

2 ...... FM100

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

500

max

V_DSS

V_GSS

I_D

500

±20

V_{(BR) DSS}

I_GSS

µA

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

±500

250

4.0

±10

I_DSS

V_DS= 500V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 5.0A

V_GS= 10V, I_D= 5.0A

I_{D (pulse)}

P_D

±40 (Tch 150ºC)

85 (Tc = 25ºC)

500

V_TH

2.0

6.1

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

9.2

0.5

E_AS

0.6

Ω

Tch

150

1800

250

V_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

_D= 5A, V_DD= 250V,

_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

: V_DD= 50V, L = 9mH, I_L= 10A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

t_off

140

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

1.0

0.8

0.6

V_GS10V

10V

V_DS10V

0.4

0.2

4.5V

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

V_GS4V

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

V_DS10V

I_D5A

V_GS10V

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

I_D10A

I_D5A

0.5

0.3

150

0.05 0.1

0.5

–50

100

I_D(A)

V_GS(V)

Tc (ºC)

V_DS— Capacitance Characteristics

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

5000

I_D(pulse) max

V_GS0V

1MHz

Ciss

1ms (1shot)

R^{DS (ON)}

LIMITED

I_Dmax

1000

500

Coss

V_GS0V

5V,10V

0.5

100

Crss

Without heatsink

0.1

0.5

1.0

1.5

50 100

V_DS(V)

500 1000

100

Ta (ºC)

150

V_DS(V)

V_SD(V)

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