2SK1187

更新时间： 2024-02-15 14:49:08

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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MOSFET

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2SK1187 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL APPROVED	雪崩能效等级（Eas）：	58 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1187 数据手册

2SK1187

External dimensions

1 ...... FM20

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

100

max

V_DSS

V_GSS

I_D

100

±20

V_{(BR) DSS}

I_GSS

µA

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

±500

250

4.0

±12

I_DSS

V_DS= 100V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 6.0A

V_GS= 10V, I_D= 6.0A

I_{D (pulse)}

P_D

V_TH

2.0

4.4

±48 (Tch 150ºC)

35 (Tc = 25ºC)

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

6.5

0.12

650

240

E_AS

0.16

Ω

Tch

150

_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

_D= 6A, V_DD= 50V,

: V_DD= 25V, L = 600µH, I_L= 12A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

V_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

t_off

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

0.2

V_DS10V

10V

V_GS10V

5.5V

0.1

25ºC

125ºC

4.5V

–

T_C

55ºC

V_GS4V

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

I_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

0.4

0.3

0.2

0.1

V_DS10V

I_D6A

V_GS10V

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

I_D12A

I_D6A

0.5

0.3

150

0.05 0.1

0.5

10 20

–50

100

I_D(A)

V_GS(V)

Tc (ºC)

V_DS— Capacitance Characteristics

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

3000

I_D(pulse) max

V_GS0V

1MHz

I_Dmax

1000

500

Ciss

Coss

Crss

10V

100

0.5

V_GS0V

Without heatsink

0.1

0.5

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_SD(V)

100

Ta (ºC)

150

50 100

V_DS(V)

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