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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 240 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1428TL4Q | ROHM |
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3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1428TL4R | ROHM |
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3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1429 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION |
|
| 2SB1429 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429 | PANJIT |
获取价格 |
SOT-23 |
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| 2SB1429_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB1429-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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