2SB1429

更新时间： 2024-09-19 06:16:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	162K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1429 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1429 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1429

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SD2155

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 100W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-180

-5

UNIT

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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