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2SB1431-AZ

更新时间： 2024-11-08 20:56:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	132K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SB1431-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1431-AZ 数据手册

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PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SB1431 is a Darlington power transistor that can directly

drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers

and solenoid drivers in such as OA and FA equipment.

In addition, a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting

cost.

FEATURES

• High h^FEdue to Darlington connection:

h^FE≥ 2,000 (V^CE= −2 V, I^C= −3 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

QUALITY GRADES

• Standard

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Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

−7.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

−8.0

I^C(DC)

−12

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.8

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

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2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1431-K	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SB1431-K-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-L	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-L-AZ	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1431-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-M	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1431-M-AZ	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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