2SB1435

更新时间： 2024-11-22 22:52:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管 ISM频段放大器
页数	文件大小	规格书
3页	79K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1435 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1435 数据手册

Power Transistors

2SB1435

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

7.5 0.2

4.5 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Large collector current I_C

• Allowing automatic insertion with radial taping

0.65 0.1

0.85 0.1

1.0 0.1

0.8 C

0.7 0.1

1.15 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1.15 0.2

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.5 0.1

0.4 ^0.1

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−50

0.8 C

−5

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−2

−3

2.5 0.2

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

MT-3-A1 Package

1.5

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −2 V, I_C= −200 mA

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

− 0.1

µA



h_FE1

120

340

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.3

− 0.85 −1.20

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

120 to 240

170 to 340

Publication date: March 2003

SJD00074BED

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1435相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1435R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR
2SB1435S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR
2SB1436	ROHM	获取价格	Low Frequency Transistor(-20V,-5A)
2SB1436	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1436	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1436/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436/Q	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436/R	ROHM	获取价格	5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN
2SB1436C6/P	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

与2SB1435相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1435

2SB1435 技术参数

2SB1435 数据手册

与2SB1435相关器件

与2SB1435相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1435

2SB1435 技术参数

2SB1435 数据手册

与2SB1435相关器件

与2SB1435相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？