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2SB1436/R

更新时间: 2024-09-19 21:01:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 155K
描述
5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN

2SB1436/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SB1436/R 数据手册

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Transistors  
Low Frequency Transistor  
(*20V,*5A)  
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.35V (Typ.)  
(IC / IB = *4A / *0.1A)  
2) Excellent DC current gain charac-  
teristics.  
3) Complements the 2SD2098 /  
2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(96-141-B204)  
211  

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