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2SB1440Q

更新时间： 2024-11-23 19:57:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIP3-F1, 3 PIN

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2SB1440Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1440Q 数据手册

Transistors

2SB1440

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SD2185

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4 0.08

1.5 0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

3˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

45˚

3.0 0.15

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−50

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−50

−5

MiniP3-F1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−2

Marking Symbol: 1 I

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

−3

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the board

thickness of 1.7 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

I_C= −10 µA, I_E= 0

Min

−50

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −2 V, I_C= −200 mA

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

− 0.1

µA



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

120

340

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.3

− 0.85 −1.2

150

Base-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

120 to 240

170 to 340

Publication date: November 2002

SJC00085CED

12 3

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与2SB1440Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1440R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
2SB1440S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
2SB1443	ROHM	获取价格	Power Transistor (-50V, -2A)
2SB1443	KEXIN	获取价格	Power Transistor
2SB1443	TYSEMI	获取价格	Low saturation voltage. VCE (sat) = -0.35V (Max.) at IC / IB = -1A / -50mA.
2SB1443_11	ROHM	获取价格	Power Transistor (?50V, ?2A)
2SB1443P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SB1443Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SB1443TV2/P	ROHM	获取价格	2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1443TV2/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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