5秒后页面跳转
2SB1436C6/P PDF预览

2SB1436C6/P

更新时间: 2024-11-26 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126FP, 3 PIN

2SB1436C6/P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126FP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.77
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SB1436C6/P 数据手册

 浏览型号2SB1436C6/P的Datasheet PDF文件第2页 

与2SB1436C6/P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1436C6/PQ ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436C6/PR ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436C6/Q ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436C6/QR ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436C6/R ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB1436P ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126
2SB1436Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126
2SB1436R ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1438 PANASONIC

获取价格

Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1438-HW PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon