2SB1438

更新时间： 2024-11-09 22:52:39

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	42K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

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2SB1438 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.9
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1438 数据手册

Transistor

2SB1438

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

High collector to emitter voltage V_CEO

Allowing supply with the radial taping.

0.65 max.

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

2.5±0.5 2.5±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–100

–5

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

–3

the upper figure, the 3:Base

I_C

–2

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

1.2±0.1

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= –50V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

– 0.1

µA

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–100

–5

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –200mA

V_CE= –2V, I_C= –1A^*2

I_C= –1A, I_B= –50mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

120

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.17

– 0.85

– 0.3

–1.2

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

120 ~ 240

170 ~ 340

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