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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | TO-126FP, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1436/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436/R | ROHM |
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5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SB1436C6/P | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436C6/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436C6/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436C6/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436C6/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1436C6/R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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