2SB1432-AZ

更新时间： 2024-11-26 13:04:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	107K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SB1432-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.31
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1432-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1432

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

ORDERING INFORMATION

The 2SB1432 is a Darlington power transistor that can be directly

driven from the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA

equipment such as motor and solenoid drivers.

Part No.

Package

2SB1432

Isolated TO-220

In addition,

a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting cost.

(Isolated TO-220)

FEATURES

• High h^FEdue to Darlington connection

h^FE≥ 1,000 @V^CE= −2.0 V, I^C= −10 A)

• Mold package that does not require an insulation board or insulation

bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Conditions

Ratings

−100

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

V^CEO

−8.0

V^EBO

–

I^C(DC)

–

PW ≤ 300 µs,

I^C(pulse)

duty cycle ≤ 10%

−1.0

Base current (DC)

I^B(DC)

P^T

T^C= 25°C

T^A= 25°C

Total power dissipation

°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

−55 to +150

T^stg

INTERNAL EQUIVALENT CIRCUIT

1. Base

2. Collector

3. Emitter

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D14859EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1433	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1433RF	HITACHI	获取价格	2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1433RR	HITACHI	获取价格	2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1433TZ	HITACHI	获取价格	2000mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1434	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1434-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1434R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SIP
2SB1434S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SIP
2SB1434-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1435	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type

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