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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 180 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1429R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| 2SB1430 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SB1430 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1430 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| 2SB1430K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
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| 2SB1430-K | RENESAS |
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5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1430-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1430-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1430L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SB1430-L | RENESAS |
获取价格 |
5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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