2SB1430

更新时间： 2024-09-18 22:52:39

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日电电子 - NEC		晶体开关放大器晶体管功率放大器
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描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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2SB1430 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.35	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1430 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1430

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SB1430 is a Darlington power transistor that can directly

drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers

and solenoid drivers in such as OA and FA equipment.

In addition, this transistor features

a small resin-molded

insulation type package, thus contributing to high-density mounting

and mounting cost reduction.

FEATURES

• High h^FEdue to Darlington connection:

h^FE≥ 2,000 (V^CE= 2 V, I^C= 2 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Electrode Connection

1. Base

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

−7.0

Unit

2. Collector

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

3. Emitter

V^CEO

EQUIVALENT CIRCUIT

V^EBO

−5.0

I^C(DC)

−10

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.5

P^T(T^C= 25°C)

P^T(T^A= 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D13660EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1430K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220VAR
2SB1430-K	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1430-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1430-K-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1430L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220VAR
2SB1430-L	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1430-L-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1430M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220VAR
2SB1430-M	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1430-M-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

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