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2SB1430-M

更新时间： 2024-11-23 14:46:19

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2SB1430-M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1430-M-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1430-M-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1431	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SB1431	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1431	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington PNP 100V 8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220F
2SB1431-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-K	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SB1431-K-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,