Datasheet > 2SB1430-M-AZ

2SB1430-M-AZ

更新时间： 2024-11-23 20:33:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	115K
描述
5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1430-M-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1430-M-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1430

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SB1430 is a Darlington power transistor that can directly

drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers

and solenoid drivers in such as OA and FA equipment.

In addition, this transistor features

a small resin-molded

insulation type package, thus contributing to high-density mounting

and mounting cost reduction.

FEATURES

• High h^FEdue to Darlington connection:

h^FE≥ 2,000 (V^CE= 2 V, I^C= 2 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Electrode Connection

1. Base

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

−7.0

Unit

2. Collector

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

3. Emitter

V^CEO

EQUIVALENT CIRCUIT

V^EBO

−5.0

I^C(DC)

−10

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.5

P^T(T^C= 25°C)

P^T(T^A= 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D13660EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SB1430-M-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1431	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SB1431	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1431	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington PNP 100V 8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220F
2SB1431-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-K	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SB1431-K-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1431-L	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SB1431-L-AZ	RENESAS	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

与2SB1430-M-AZ相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1430-M-AZ

2SB1430-M-AZ 技术参数

2SB1430-M-AZ 数据手册

与2SB1430-M-AZ相关器件

与2SB1430-M-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1430-M-AZ

2SB1430-M-AZ 技术参数

2SB1430-M-AZ 数据手册

与2SB1430-M-AZ相关器件

与2SB1430-M-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？