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2SB1429

更新时间: 2024-11-22 22:52:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION

2SB1429 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:180 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:150 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
VCEsat-Max:3 VBase Number Matches:1

2SB1429 数据手册

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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