5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1428TL4R | ROHM |
获取价格 |
3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1429 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION |
|
| 2SB1429 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429 | PANJIT |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| 2SB1429_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB1429-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SB1429R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
