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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1428TL4R | ROHM |
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3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1429 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1429 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION |
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| 2SB1429 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429 | PANJIT |
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SOT-23 |
|
| 2SB1429_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1429O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB1429-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SB1429R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
|
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