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WTM410D2K6LS

更新时间： 2023-12-06 20:03:37

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先科 - SWST		晶体
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7页	595K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM410D2K6LS 数据手册

WTM410D2K6LS-HAF

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN3030 Plastic Package

Key Parameters (Q1/Q2)

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

335 @ V_GS= 10 V

345 @ V_GS= 4.5 V

1.8

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

8.1 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

3.1

1.9

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

1.4

E_AS

0.5

℃

P_D

7.9

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

15.7

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 1.4 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 26/09/2022 Rev: 02

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