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TTB6C95N16LOF

更新时间： 2024-10-26 21:14:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 358K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 6 Element, ISOPACK-14

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TTB6C95N16LOF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOPACK
包装说明：ISOPACK-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.7
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
快速连接描述：6G螺丝端子的描述：3AK-2CA-CK
最大维持电流：200 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X14
最大漏电流：8 mA通态非重复峰值电流：720 A
元件数量：6端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：75 A
断态重复峰值电压：1600 V重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

TTB6C95N16LOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TT B6C 95 N 161) (ISOPACK)  
N
B6  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
VDRM, VRRM  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
1600  
1600  
1700  
75  
V
V
V
A
VDSM  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
VRSM  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
ITRMSM  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)  
RMS on-state current (per chip)  
TC = 85°C  
TC = 66°C  
TA = 45°C, KM 11  
TA = 45°C, KM 33  
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)  
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)  
Id  
Ausgangsstrom  
output current  
95  
130  
45  
62  
101  
115  
A
A
A
A
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
ITSM  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
720  
620  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
2590  
1920  
A²s  
A²s  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
DIN IEC 747-6  
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs  
Kritische Stromsteilheit  
critical rate of rise of on-state current  
120  
A/µs  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
8. Kennbuchstabe / 8th letter F  
critical rate of rise of off-state voltage  
1000  
V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iT = 100A  
vT  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
max. 1,64  
0,95  
V
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V
Tvj =Tvj max  
rT  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
5,5  
mΩ  
mA  
V
Tvj = 25°C, vD = 6V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
Zündstrom  
gate trigger current  
max. 150  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
max.  
2,5  
Tvj = Tvj max, vD = 6V  
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
max.  
max.  
5,0  
2,5  
mA  
mA  
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
max.  
0,2  
V
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω  
Haltestrom  
holding current  
max. 200  
max. 600  
mA  
mA  
mA  
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω  
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs  
IL  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = Tvj max  
vD = VDRM, vR = VRRM  
iD, iR  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
max.  
8
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK95N16  
BIP PPE4 rev. 2  
19. Okt 05  
A 05/05  
Seite/page 1(6)  
1234567

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与TTB6C95N16LOF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TTB6C95N18LOF INFINEON

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 		Trigger Device
TTB75N08A WUXI UNIGROUP

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 		Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB80N04AT WUXI UNIGROUP

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 		Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB85N08A WUXI UNIGROUP

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 		Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
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TTB95N68A WUXI UNIGROUP

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TTC MERITEK

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 		NTC Thermistors
TTC Series MERITEK

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 		TTC Series | Radial Leaded NTC
TTC0001 TOSHIBA

获取价格

 		Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
TTC0001(F) TOSHIBA

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