TTC0002

更新时间： 2024-10-30 06:02:11

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

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TTC0002 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	2-21F1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	18 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

TTC0002 数据手册

TTC0002

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

TTC0002

○Power Amplifier Applications

Unit: mm

•

High collector voltage: V

= 160 V (min)

CEO

Complementary to TTA0002

Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output

stage.

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

160

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

160

Collector current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

180

°C

東芝

2-21F1A

150

stg

−55 to 150

Weight: 9.75 g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2009-06-11

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